Infineon N沟道IGBT, 8针, 1个晶体管, Ic 10.9 A, PG-TDSON-8

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RS 库存编号:
273-5239
制造商零件编号:
BSC16DN25NS3GATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

IGBT

最大连续集电极电流 Ic

10.9A

最大功耗 Pd

62.5W

晶体管数

1

配置

单

包装类型

PG-TDSON-8

安装类型

通孔

槽架类型

N

引脚数目

8

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

IEC 61249-2-21

高度

1.15mm

长度

5.1mm

宽度

6.1mm

汽车标准

否

Infineon MOSFET 是 N 通道 MOSFET,工作温度为 150 摄氏度。它是经过优化的直流到直流转换。此 MOSFET 符合 JEDEC 标准,适用于目标应用。此 MOSFET 无卤,符合 IEC61249 2 21 标准。

符合 RoHS 标准

无铅引线镀层

低接通电阻

出色的门充电

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