Infineon N沟道IGBT, 8针, PG-TDSON-8, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 273-5239
- 制造商零件编号:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 5000 件）*
¥33,565.00
(不含税)
¥37,930.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年3月16日 发货
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 5000 + | RMB6.713 | RMB33,565.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-5239
- 制造商零件编号:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 62.5 W | |
| 封装类型 | PG-TDSON-8 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 62.5 W | ||
封装类型 PG-TDSON-8 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 8 | ||
Infineon MOSFET 是 N 通道 MOSFET,工作温度为 150 摄氏度。它是经过优化的直流到直流转换。此 MOSFET 符合 JEDEC 标准,适用于目标应用。此 MOSFET 无卤,符合 IEC61249 2 21 标准。
符合 RoHS 标准
无铅引线镀层
低接通电阻
出色的门充电
无铅引线镀层
低接通电阻
出色的门充电