Infineon N型沟道, BSC16DN25NS3GATMA1 IGBT, 单管, 1个, Ic 10.9 A, 8引脚, PG-TDSON-8, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 273-5239
- 制造商零件编号:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 5000 件）*
¥33,320.00
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¥37,650.00
(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 5000 + | RMB6.664 | RMB33,320.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-5239
- 制造商零件编号:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 10.9A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大功耗 Pd | 62.5W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 配置 | 单 | |
| 包装类型 | PG-TDSON-8 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21 | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 高度 | 1.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 10.9A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大功耗 Pd 62.5W | ||
晶体管数 1 | ||
配置 单 | ||
包装类型 PG-TDSON-8 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 8 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21 | ||
长度 5.1mm | ||
高度 1.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 是 N 通道 MOSFET,工作温度为 150 摄氏度。它是经过优化的直流到直流转换。此 MOSFET 符合 JEDEC 标准,适用于目标应用。此 MOSFET 无卤,符合 IEC61249 2 21 标准。
符合 RoHS 标准
无铅引线镀层
低接通电阻
出色的门充电