Infineon IGBT, Ic 60 A, VCEO 600 V, 3针, PG-TO263-3, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 273-7425
- 制造商零件编号:
- IGB30N60H3ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB17.99 | RMB35.98 |
| 50 - 98 | RMB16.325 | RMB32.65 |
| 100 - 248 | RMB14.99 | RMB29.98 |
| 250 - 498 | RMB13.855 | RMB27.71 |
| 500 + | RMB13.585 | RMB27.17 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-7425
- 制造商零件编号:
- IGB30N60H3ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 60 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | +/-20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 187 W | |
| 封装类型 | PG-TO263-3 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 60 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 +/-20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 187 W | ||
封装类型 PG-TO263-3 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
这种 Infineon IGBT 是一种采用沟槽和场截止技术的高速 IGBT。这种 IGBT 的最高结温为 175 摄氏度，符合 JEDEC 的目标应用要求。建议将这种 IGBT 用于不间断电源、焊接转换器和高开关频率转换器。
低 EMI
低 VCEsat
符合 RoHS 标准
无铅引线电镀
极低关闭能量
无卤模制化合物
低 VCEsat
符合 RoHS 标准
无铅引线电镀
极低关闭能量
无卤模制化合物