制造商编号

Infineon IGBT, Ic 20 A, VCEO 600 V, 3引脚, PG-TO220-3, 通孔安装

RS 库存编号:: 273-7427
制造商零件编号:: IGP20N60H3XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon IGBT, Ic 20 A, VCEO 600 V, 3引脚, PG-TO220-3, 通孔安装

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RS 库存编号:: 273-7427
制造商零件编号:: IGP20N60H3XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流 Ic	20A
	产品类型	IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo	600V
	最大功耗 Pd	170W
	包装类型	PG-TO220-3
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最低工作温度	-40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO	20 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	2.5V
	最高工作温度	175°C
	系列	TrenchStop
	高度	4.58mm
	长度	15.95mm
	标准/认证	JEDEC, RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 Ic 20A
	产品类型 IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo 600V
	最大功耗 Pd 170W
	包装类型 PG-TO220-3
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最低工作温度 -40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO 20 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.5V
	最高工作温度 175°C
	系列 TrenchStop
	高度 4.58mm
	长度 15.95mm
	标准/认证 JEDEC, RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IGP20N60H3XKSA1

这种 Infineon IGBT 是一种采用沟槽和场截止技术的高速 IGBT。这种 IGBT 的最高结温为 175 摄氏度，符合 JEDEC 的目标应用要求。建议将这种 IGBT 用于不间断电源、焊接转换器和高开关频率转换器。

低 EMI

低 VCEsat

符合 RoHS 标准

无铅引线电镀

极低关闭能量

无卤模制化合物

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