STMicroelectronics 双向沟道, STGWA35IH135DF2 IGBT, 单集电极, 1个, Ic 35 A, VCEO 1350 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 275-1347
- 制造商零件编号:
- STGWA35IH135DF2
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 管，共 30 件）*
¥642.24
(不含税)
¥725.73
(含税)
有库存
- 210 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 + | RMB21.408 | RMB642.24 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 275-1347
- 制造商零件编号:
- STGWA35IH135DF2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 35A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1350V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功耗 Pd | 416W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 配置 | 单集电极 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | 双向 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 21mm | |
| 长度 | 19.92mm | |
| 宽度 | 15.8 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 Ic 35A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1350V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功耗 Pd 416W | ||
包装类型 TO-247 | ||
配置 单集电极 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 双向 | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 21mm | ||
长度 19.92mm | ||
宽度 15.8 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics IGBT 1350 V IH2 系列采用高级专有槽门现场停止结构开发,其性能在导电和切换损耗方面均经过优化,以实现软切换。包含一个具有低正向压降的续流二极管。结果是专门设计的产品,可最大程度地提高效率,适用于任何共振和软开关应用。
设计用于软切换
尾电流最小化
严格的参数分布
低热阻