STMicroelectronics 双向沟道IGBT, Ic 35 A, VCEO 1350 V, 3针, TO-247, 通孔安装

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包装方式:
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275-1348
制造商零件编号:
STGWA35IH135DF2
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

最大连续集电极电流

35 A

最大集电极-发射极电压

1350 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

416 W

晶体管数

1

封装类型

TO-247

配置

单集电极、单发射极、单栅极

安装类型

通孔

通道类型

双向

引脚数目

3

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics IGBT 1350 V IH2 系列采用先进的专有槽门现场停止结构开发,其性能在导电和切换损耗方面均经过优化,以实现软切换。随附一个自由旋转二极管,带低下降向前电压。结果是专门设计的产品,可最大程度地提高效率,适用于任何共振和软开关应用。

设计用于软切换
最小化尾部电流
紧凑型参数分布
低热阻

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。