Vishay N沟道IGBT, 7针, 2个晶体管, Ic 193 A, VCEO 650 V, INT-A-PAK
- RS 库存编号:
- 276-6406
- 制造商零件编号:
- VS-GT200TS065N
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 276-6406
- 制造商零件编号:
- VS-GT200TS065N
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 193A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 517W | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 包装类型 | INT-A-PAK | |
| 配置 | 半桥 | |
| 安装类型 | 面板 | |
| 槽架类型 | N | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 30mm | |
| 标准/认证 | UL E78996 | |
| 长度 | 94.4mm | |
| 宽度 | 35.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
最大连续集电极电流 Ic 193A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 517W | ||
晶体管数 2 | ||
包装类型 INT-A-PAK | ||
配置 半桥 | ||
安装类型 面板 | ||
槽架类型 N | ||
引脚数目 7 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 30mm | ||
标准/认证 UL E78996 | ||
长度 94.4mm | ||
宽度 35.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- IT
Vishay IGBT 具有 Gen 4 FRED Pt 技术抗并行二极管，具有超软反向恢复特性。它经过优化，适用于高电流变频器阶段（交流 TIG 焊接机）。
UL 认证
极低的导电损耗
低 EMI
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