STMicroelectronics IGBT, Ic 4 A, VCEO 600 V, 3针, DPAK, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 287-7045
- 制造商零件编号:
- STGD4H60DF
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 28 | RMB8.36 | RMB16.72 |
| 30 - 58 | RMB7.545 | RMB15.09 |
| 60 - 118 | RMB6.785 | RMB13.57 |
| 120 - 238 | RMB6.08 | RMB12.16 |
| 240 + | RMB5.375 | RMB10.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 287-7045
- 制造商零件编号:
- STGD4H60DF
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 4 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 75 W | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 配置 | 单集电极、单发射极、单栅极 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 4 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 75 W | ||
封装类型 DPAK | ||
配置 单集电极、单发射极、单栅极 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的沟槽栅场截止是一种采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的 IGBT。该器件属于 H 系列绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，可在传导和切换损耗之间实现最佳平衡，从而最大程度地提高高切换频率转换器的效率。此外，VCE(饱和) 温度系数略微偏正且参数分布非常紧密，可让并联操作更安全。
低热阻
短路额定值
软性快速恢复反并联二极管
短路额定值
软性快速恢复反并联二极管