STMicroelectronics IGBT, 3针, 1个晶体管, Ic 4 A, VCEO 600 V, TO-252

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包装方式：
RS 库存编号:
287-7045
制造商零件编号:
STGD4H60DF
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

最大连续集电极电流 Ic

4A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

600V

晶体管数

1

最大功耗 Pd

75W

配置

单集电极

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最低工作温度

-55°C

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.7V

最高工作温度

175°C

宽度

6.7mm

长度

1.7mm

高度

2.3mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics 槽门现场停止器是使用高级专有槽门现场停止器结构开发的 IGBT。该器件属于 H 系列绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，可在传导和切换损耗之间实现最佳平衡，从而最大程度地提高高切换频率转换器的效率。此外，VCE(饱和) 温度系数略微偏正且参数分布非常紧密，可让并联操作更安全。

低热阻

额定短路

软且快速恢复的反平行二极管

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