Semikron Danfoss N型沟道, SKM100GB125DN igbt模块, 双半桥, 2个, Ic 100 A, VCEO 1200 V, 7引脚, SEMITRANS, 面板安装

可享批量折扣

小计(1 件)*

¥1,363.49

(不含税)

¥1,540.74

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 150 个,准备发货
单位
每单位
1 - 4RMB1,363.49
5 +RMB1,322.59

* 参考价格

RS 库存编号:
468-2410
制造商零件编号:
SKM100GB125DN
制造商:
Semikron Danfoss
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Semikron Danfoss

最大连续集电极电流 Ic

100A

产品类型

igbt模块

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

晶体管数

2

配置

双半桥

包装类型

SEMITRANS

安装类型

面板

槽架类型

N型

引脚数目

7

最低工作温度

150°C

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

3.85V

最高工作温度

-40°C

高度

30.5mm

长度

94.5mm

标准/认证

No

汽车标准

双 IGBT 模块


Semikron SEMITOP® IGBT 模块包含两个串联(半桥)IGBT 设备。该模块提供各种电压和电流额定值,且适用于各种功率切换应用,如交流变频电动机驱动器和不间断电源。

紧凑型 SEMITOP® 封装

适用于高达 12kHz 的切换频率

绝缘铜基板使用直接粘结技术

IGBT 模块,Semikron


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。