Infineon IGBT, Ic 75 A, VCEO 1200 V, 3针, TO-247, 通孔安装

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包装方式：
RS 库存编号:
754-5392P
制造商零件编号:
IGW40T120FKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

75 A

最大集电极-发射极电压

1200 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

270 W

封装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

晶体管配置

单

尺寸

16.13 x 21.1 x 5.21mm

最高工作温度

+150 °C

最低工作温度

-40 °C

Infineon TrenchStop IGBT 晶体管，电压 1100 至 1600V


一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管，带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。

• 集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V
• 极低 VCEsat
• 低关闭损耗
• 短尾线电流
• 低 EMI
• 最高接点温度 175°C

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



IGBT 分立件和模块，Infineon


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。