Infineon N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 600 V, 3针, TO-247, 通孔安装, 20kHz
- RS 库存编号:
- 754-5402
- 制造商零件编号:
- IKW75N60TFKSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 754-5402
- 制造商零件编号:
- IKW75N60TFKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 428 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 配置 | 单 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 20kHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 16.03 x 21.1 x 5.16mm | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 栅极电容 | 4620pF | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 428 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
配置 单 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 20kHz | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 16.03 x 21.1 x 5.16mm | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
栅极电容 4620pF | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
英飞凌 IGBT，80A 最大连续集电极电流，600V 最大集电极发射极电压 - IKW75N60TFKSA1
这种 IGBT 是一种高性能半导体元件，专为电力电子应用而设计。它的最大连续集电极电流为 80A，可在额定电压为 600V 的高压环境中高效运行。该器件采用 TO-247 包装，非常适合通孔安装。
特点和优势
• 集电极-发射极饱和电压低，效率更高
• 高开关速度可减少运行过程中的能量损耗
• 正温度系数确保性能稳定
• 兼容 -40°C 至 +175°C 的宽温度范围
• 高开关速度可减少运行过程中的能量损耗
• 正温度系数确保性能稳定
• 兼容 -40°C 至 +175°C 的宽温度范围
应用
• 适用于工业环境中的变频器
• 不间断电源系统的理想选择
• 用于自动化电机控制
• 有效确保可再生能源系统的效率
• 不间断电源系统的理想选择
• 用于自动化电机控制
• 有效确保可再生能源系统的效率
短路耐受时间对我的应用有何影响？
5μs 的短路耐受时间可为可能遇到故障情况的应用提供可靠的保护，确保设备能够承受短暂的过流情况而不会立即发生故障。
高开关速度对系统效率有何影响？
20kHz 的高开关速度最大限度地减少了转换过程中的能量损失，显著提高了整体系统效率和性能，尤其是在快速响应应用中。
要实现最佳性能，在热管理方面有哪些注意事项？
热阻值表示从连接处到外壳的有效散热量
将结温控制在规定范围内对于保持可靠运行和延长元件寿命至关重要。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
IGBT 分立件和模块，Infineon
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。