onsemi N型沟道, FGH40N60SFDTU 场截止IGBT, Ic 80 A, VCEO 600 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装, 25 ns

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RS 库存编号:
759-9267P
制造商零件编号:
FGH40N60SFDTU
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

场截止IGBT

最大连续集电极电流 Ic

80A

最大集电极-发射极电压 Vceo

600V

最大功耗 Pd

290W

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

槽架类型

N型

引脚数目

3

开关速度

25ns

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.3V

最大栅极发射极电压 VGEO

±20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

系列

Field Stop

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor


IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三极管功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。