Renesas Electronics N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 600 V, 3针, TO-3P, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 772-6588
- 制造商零件编号:
- RJH60D6DPK-00#T0
- 制造商:
- Renesas Electronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 19 | RMB20.44 |
| 20 - 69 | RMB20.27 |
| 70 - 249 | RMB20.08 |
| 250 - 499 | RMB19.86 |
| 500 + | RMB19.67 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 772-6588
- 制造商零件编号:
- RJH60D6DPK-00#T0
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±30V | |
| 最大功率耗散 | 260 W | |
| 封装类型 | TO-3P | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 15.6 x 4.8 x 14.9mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±30V | ||
最大功率耗散 260 W | ||
封装类型 TO-3P | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 15.6 x 4.8 x 14.9mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
IGBT 分立，Renesas Electronics
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）分立和模块
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。