onsemi 1200 V 80 A IGBT, 3引脚, 通孔安装, N通道

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包装方式：
RS 库存编号:
773-7406
制造商零件编号:
NGTB40N120FLWG
制造商:
ON Semiconductor
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品牌

ON Semiconductor

最大连续集电极电流

80 A

最大集电极-发射极电压

1200 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

260 W

封装类型

TO-247

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

单

尺寸

16.26 x 5.3 x 21.08mm

最高工作温度

+150 °C

最低工作温度

-55 °C

IGBT 分立，On Semiconductor


绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。


IGBT 分立，On Semiconductor


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。