STMicroelectronics N型沟道, STGW20V60F IGBT, Ic 40 A, VCEO 600 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装, 1 MHz
- RS 库存编号:
- 791-7621
- 制造商零件编号:
- STGW20V60F
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 包，共 5 件）*
¥118.58
(不含税)
¥133.995
(含税)
有库存
- 另外 5 件在 2026年2月16日 发货
- 另外 30 件在 2026年5月06日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 + | RMB23.716 | RMB118.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 791-7621
- 制造商零件编号:
- STGW20V60F
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 40A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 600V | |
| 最大功耗 Pd | 167W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | Lead free package | |
| 系列 | V | |
| 长度 | 15.75mm | |
| 高度 | 20.15mm | |
| 宽度 | 5.15 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 Ic 40A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 600V | ||
最大功耗 Pd 167W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 Lead free package | ||
系列 V | ||
长度 15.75mm | ||
高度 20.15mm | ||
宽度 5.15 mm | ||
汽车标准 否 | ||
IGBT 分立，STMicroelectronics
IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。