Toshiba N沟道IGBT, Ic 50A, VCEO 600 V, 3针, TO-3P, 通孔安装, 1MHz
- RS 库存编号:
- 796-5064
- 制造商零件编号:
- GT50JR22
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB40.53 |
| 10 - 49 | RMB39.57 |
| 50 - 124 | RMB38.62 |
| 125 - 249 | RMB37.70 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 796-5064
- 制造商零件编号:
- GT50JR22
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 最大连续集电极电流 | 50A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±25V | |
| 最大功率耗散 | 230 瓦 | |
| 封装类型 | TO-3P | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 15.5 x 4.5 x 20mm | |
| 最高工作温度 | +175°C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
最大连续集电极电流 50A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±25V | ||
最大功率耗散 230 瓦 | ||
封装类型 TO-3P | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm | ||
最高工作温度 +175°C | ||
IGBT 分立器件，东芝
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
IGBT 分立件和模块，Toshiba
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