onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 1200 V, 3针, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 1MHz
- RS 库存编号:
- 807-6660
- 制造商零件编号:
- HGT1S10N120BNST
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥34.65
(不含税)
¥39.154
(含税)
有库存
- 另外 8 件在 2025年12月08日 发货
- 另外 556 件在 2025年12月15日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 198 | RMB17.325 | RMB34.65 |
| 200 - 398 | RMB16.96 | RMB33.92 |
| 400 + | RMB16.45 | RMB32.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-6660
- 制造商零件编号:
- HGT1S10N120BNST
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 298 W | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 10.67 x 11.33 x 4.83mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 298 W | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 贴片 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 10.67 x 11.33 x 4.83mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
分离式 IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三极管功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。