onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 1200 V, 3针, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 1MHz
- RS 库存编号:
- 807-6660
- 制造商零件编号:
- HGT1S10N120BNST
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 198 | RMB22.97 | RMB45.94 |
| 200 - 398 | RMB22.485 | RMB44.97 |
| 400 + | RMB21.81 | RMB43.62 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-6660
- 制造商零件编号:
- HGT1S10N120BNST
- 制造商:
- onsemi
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 298 W | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 10.67 x 11.33 x 4.83mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 298 W | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 贴片 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 10.67 x 11.33 x 4.83mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||