onsemi N型沟道, HGT1S10N120BNST IGBT, Ic 35 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-263, 表面安装, 1 MHz
- RS 库存编号:
- 807-6660P
- 制造商零件编号:
- HGT1S10N120BNST
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 807-6660P
- 制造商零件编号:
- HGT1S10N120BNST
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 35A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 最大功耗 Pd | 298W | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.45V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 系列 | NPT | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 Ic 35A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
最大功耗 Pd 298W | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.45V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
系列 NPT | ||
汽车标准 否 | ||
分离式 IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor
IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三极管功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。