制造商编号

onsemi N型沟道, ISL9V3040D3ST 点火 IGBT, Ic 21 A, VCEO 430 V, 3引脚, TO-252, 表面安装, 1 MHz

RS 库存编号:: 807-8758
制造商零件编号:: ISL9V3040D3ST
制造商:: onsemi

onsemi N型沟道, ISL9V3040D3ST 点火 IGBT, Ic 21 A, VCEO 430 V, 3引脚, TO-252, 表面安装, 1 MHz

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RS 库存编号:: 807-8758
制造商零件编号:: ISL9V3040D3ST
制造商:: onsemi

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	最大连续集电极电流 Ic	21A
	产品类型	点火 IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo	430V
	最大功耗 Pd	150W
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	槽架类型	N型
	引脚数目	3
	开关速度	1MHz
	最大栅极发射极电压 VGEO	±10 V
	最低工作温度	-40°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	2.2V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	系列	EcoSPARK
	汽车标准	AEC-Q101
	额定能量	300mJ

	选择全部
	品牌 onsemi
	最大连续集电极电流 Ic 21A
	产品类型点火 IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo 430V
	最大功耗 Pd 150W
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	槽架类型 N型
	引脚数目 3
	开关速度 1MHz
	最大栅极发射极电压 VGEO ±10 V
	最低工作温度 -40°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.2V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	系列 EcoSPARK
	汽车标准 AEC-Q101
	额定能量 300mJ

分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor

IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三极管功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor

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