STMicroelectronics N沟道IGBT, Ic 120 A, VCEO 650 V, 3针, TO-3P, 通孔安装, 1MHz
- RS 库存编号:
- 829-7136
- 制造商零件编号:
- STGWT80H65DFB
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 829-7136
- 制造商零件编号:
- STGWT80H65DFB
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 120 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 469 W | |
| 封装类型 | TO-3P | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 120 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 469 W | ||
封装类型 TO-3P | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
IGBT 分立，STMicroelectronics
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics
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