Infineon N沟道IGBT模块串行晶体管, Ic 295 A, VCEO 1200 V, 7针, 62MM 模块, 面板安装, 1MHz
- RS 库存编号:
- 838-6891
- 制造商零件编号:
- FF200R12KE3HOSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- FF200R12KE3HOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 295 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 1050 W | |
| 配置 | 串行 | |
| 封装类型 | 62MM 模块 | |
| 安装类型 | 面板 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 串行 | |
| 尺寸 | 106.4 x 61.4 x 29mm | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 最高工作温度 | +125 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 295 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 1050 W | ||
配置 串行 | ||
封装类型 62MM 模块 | ||
安装类型 面板 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 7 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 串行 | ||
尺寸 106.4 x 61.4 x 29mm | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
最高工作温度 +125 °C | ||
IGBT 模块，Infineon
Infineon 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。
IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。
IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。
封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
IGBT 分立件和模块，Infineon
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。