制造商编号

onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247, 通孔安装, 1MHz

RS 库存编号:: 842-7905
制造商零件编号:: NGTB40N65FL2WG
制造商:: onsemi

onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247, 通孔安装, 1MHz

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RS 库存编号:: 842-7905
制造商零件编号:: NGTB40N65FL2WG
制造商:: onsemi

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	最大连续集电极电流	80 A
	最大集电极-发射极电压	650 V
	最大栅极发射极电压	±20V
	最大功率耗散	366 W
	封装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	通道类型	N
	引脚数目	3
	开关速度	1MHz
	晶体管配置	单
	尺寸	16.26 x 5.3 x 21.08mm
	最低工作温度	-55 °C
	最高工作温度	+175 °C

	选择全部
	品牌 onsemi
	最大连续集电极电流 80 A
	最大集电极-发射极电压 650 V
	最大栅极发射极电压 ±20V
	最大功率耗散 366 W
	封装类型 TO-247
	安装类型通孔
	通道类型 N
	引脚数目 3
	开关速度 1MHz
	晶体管配置单
	尺寸 16.26 x 5.3 x 21.08mm
	最低工作温度 -55 °C
	最高工作温度 +175 °C

IGBT 分立，On Semiconductor

绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

IGBT 分立，On Semiconductor

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。