制造商编号

Toshiba N沟道离散IGBT, 3针, Ic 40 A, VCEO 1200 V, 2.5 MHz, TO-3P, 6.5th generation系列

RS 库存编号:: 891-2743
制造商零件编号:: GT40QR21,F(O
制造商:: Toshiba

Toshiba N沟道离散IGBT, 3针, Ic 40 A, VCEO 1200 V, 2.5 MHz, TO-3P, 6.5th generation系列

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RS 库存编号:: 891-2743
制造商零件编号:: GT40QR21,F(O
制造商:: Toshiba

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Toshiba
	产品类型	离散IGBT
	最大连续集电极电流 Ic	40A
	最大集电极-发射极电压 Vceo	1200V
	最大功耗 Pd	230W
	包装类型	TO-3P
	安装类型	通孔
	槽架类型	N
	引脚数目	3
	开关速度	2.5MHz
	最大栅极发射极电压 VGEO	±25 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	1.9V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	系列	6.5th generation
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否
	额定能量	0.29mJ

	选择全部
	品牌 Toshiba
	产品类型离散IGBT
	最大连续集电极电流 Ic 40A
	最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V
	最大功耗 Pd 230W
	包装类型 TO-3P
	安装类型通孔
	槽架类型 N
	引脚数目 3
	开关速度 2.5MHz
	最大栅极发射极电压 VGEO ±25 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.9V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	系列 6.5th generation
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否
	额定能量 0.29mJ

COO (Country of Origin):: JP

IGBT 分立器件，东芝

IGBT 分立件和模块，Toshiba

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

Toshiba N沟道离散IGBT, 3针, Ic 40 A, VCEO 1200 V, 2.5 MHz, TO-3P, 6.5th generation系列

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IGBT 分立器件，东芝

IGBT 分立件和模块，Toshiba

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