Toshiba N沟道IGBT, Ic 40 A, VCEO 1800 V, 3针, TO-3P, 通孔安装, 1.8MHz

查看所有IGBT
不可供应
RS 不再对该产品备货。
包装方式：
RS 库存编号:
891-2746
制造商零件编号:
GT40WR21,Q(O
制造商:
Toshiba
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Toshiba

最大连续集电极电流

40 A

最大集电极-发射极电压

1800 V

最大栅极发射极电压

±25V

最大功率耗散

375 W

封装类型

TO-3P

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

开关速度

1.8MHz

晶体管配置

单

尺寸

15.5 x 4.5 x 20mm

最高工作温度

175 °C

栅极电容

4500pF

COO (Country of Origin):
JP

IGBT 分立器件，东芝


IGBT 分立件和模块，Toshiba


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。