Infineon N型沟道, IKW40N60H3FKSA1 IGBT, Ic 40 A, VCEO 600 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装, 227 ns

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包装方式：
RS 库存编号:
897-7208
制造商零件编号:
IKW40N60H3FKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流 Ic

40A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

600V

最大功耗 Pd

306W

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

槽架类型

N型

引脚数目

3

开关速度

227ns

最低工作温度

-40°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.5V

最大栅极发射极电压 VGEO

±20 V

最高工作温度

175°C

系列

TrenchStop

标准/认证

RoHS, JEDEC

额定能量

2.12mJ

汽车标准

否

Infineon TrenchStop IGBT 晶体管，600V 和 650V


Infineon 推出的一系列 IGBT 晶体管，采用 TrenchStop™ 技术，集电极/发射极额定电压为 600V 和 650V。该系列包含集成了高速、快速恢复反并联二极管的器件。

• 集电极/发射极电压范围 600V 至 650V

• 非常低的 VCEsat

• 低关断损耗

• 短拖尾电流

• 低 EMI

• 最高结温：175°C

IGBT 分立器件和模块，Infineon


绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 是一种三端子功率半导体器件，以高效率和快速开关特性著称。IGBT 在单个器件中，将用于控制输入的隔离栅 FET 和用作开关的双极型功率晶体管相结合，从而兼具 MOSFET 的简单栅极驱动特性以及双极型晶体管的高电流、低饱和电压能力。