Infineon N沟道IGBT, Ic 50 A, VCEO 1200 V, 3针, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 906-2892
- 制造商零件编号:
- IKW25N120H3FKSA1
- 制造商:
- Infineon
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16 + | RMB38.64 | RMB77.28 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 906-2892
- 制造商零件编号:
- IKW25N120H3FKSA1
- 制造商:
- Infineon
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选择全部 | 属性 | 值 |
---|---|---|
品牌 | Infineon | |
最大连续集电极电流 | 50 A | |
最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
最大栅极发射极电压 | ±20V | |
最大功率耗散 | 326 W | |
封装类型 | TO-247 | |
安装类型 | 通孔 | |
通道类型 | N | |
引脚数目 | 3 | |
晶体管配置 | 单 | |
尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
最高工作温度 | +175 °C | |
额定能量 | 4.3mJ | |
最低工作温度 | -40 °C | |
栅极电容 | 1430pF | |
选择全部 | ||
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品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 50 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 326 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
额定能量 4.3mJ | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
栅极电容 1430pF | ||