Infineon N型沟道, IKW25N120H3FKSA1 IGBT, Ic 50 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 906-2892
- 制造商零件编号:
- IKW25N120H3FKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 906-2892
- 制造商零件编号:
- IKW25N120H3FKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 50A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 最大功耗 Pd | 326W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.7V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 系列 | TrenchStop | |
| 标准/认证 | RoHS, Pb-free lead plating, JEDEC | |
| 额定能量 | 4.3mJ | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 50A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
最大功耗 Pd 326W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.7V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
系列 TrenchStop | ||
标准/认证 RoHS, Pb-free lead plating, JEDEC | ||
额定能量 4.3mJ | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon TrenchStop IGBT 晶体管，电压 1100 至 1600V
一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管，带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。
• 集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V
• 极低 VCEsat
• 低关闭损耗
• 短尾线电流
• 低 EMI
• 最高接点温度 175°C
IGBT 分立件和模块，Infineon
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。