制造商编号

onsemi, MMBF4392LT1G 晶体管, N沟道通道, 单, JFET通道, 表面安装, SOT-23封装 25 to 75 mA, Vds=30 V, 3引脚

RS 库存编号:: 838-666
制造商零件编号:: MMBF4392LT1G
制造商:: onsemi

onsemi, MMBF4392LT1G 晶体管, N沟道通道, 单, JFET通道, 表面安装, SOT-23封装 25 to 75 mA, Vds=30 V, 3引脚

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RS 库存编号:: 838-666
制造商零件编号:: MMBF4392LT1G
制造商:: onsemi

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	槽架类型	N沟道
	子类型	JFET
	产品类型	晶体管
	最大漏源电压 Vd	30V
	配置	单
	安装类型	表面安装
	包装类型	SOT-23
	最大栅源电压 Vgs	30V
	漏源电流 Ids	25 to 75 mA
	最低工作温度	-55°C
	引脚数目	3
	最大功耗 Pd	225mW
	最大漏源电阻 Rd	52Ω
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	高度	1mm
	系列	MMBF4392
	长度	2.9mm
	宽度	1.3mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	槽架类型 N沟道
	子类型 JFET
	产品类型晶体管
	最大漏源电压 Vd 30V
	配置单
	安装类型表面安装
	包装类型 SOT-23
	最大栅源电压 Vgs 30V
	漏源电流 Ids 25 to 75 mA
	最低工作温度 -55°C
	引脚数目 3
	最大功耗 Pd 225mW
	最大漏源电阻 Rd 52Ω
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	高度 1mm
	系列 MMBF4392
	长度 2.9mm
	宽度 1.3mm
	汽车标准否

Datasheet - MMBF4392LT1G

COO (Country of Origin):: CN

Onsemi JFET开关晶体管专为在各种电子电路中实现高效能和卓越性能而设计。其特性适合汽车应用和其他需要严格遵循变更要求的环境。

用于需要符合 AEC-Q101 要求的汽车应用的 S 前缀

无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，并符合RoHS标准的器件

最大额定漏源电压：30Vdc

低导通电阻，助力高效电源管理

onsemi, MMBF4392LT1G 晶体管, N沟道通道, 单, JFET通道, 表面安装, SOT-23封装 25 to 75 mA, Vds=30 V, 3引脚

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