STMicroelectronics 单片机开发板, STGAP3SXS
- RS 库存编号:
- 277-653P
- 制造商零件编号:
- STGAP3SXSTR
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计 1 件 (以带装提供)*
¥26.65
(不含税)
¥30.11
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB26.65 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 277-653P
- 制造商零件编号:
- STGAP3SXSTR
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 分类 | 开发模块 | |
| 套件名称 | STGAP3SXS | |
| 技术 | 电机驱动器 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
分类 开发模块 | ||
套件名称 STGAP3SXS | ||
技术 电机驱动器 | ||
- COO (Country of Origin):
- IT
意法半导体的电隔离保护型单栅极驱动器可在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间实现电隔离。该平台包括具有 10 A 和 6 A 电流能力的不同选件，每种选件都有适用于 SiC MOSFET 和 IGBT 的专用 UVLO 变体。还提供超快去饱和保护，具有不同的干预阈值。
高达 1200 V 的高压轨道
75 ns 输入输出传播延迟
用于外部 N 沟道 MOSFET 的米勒 CLAMP 驱动器
可调节的软关闭功能
VH UVLO IGBT 和 SiC 变体
去饱和保护 IGBT 和 SiC 变体
栅极驱动电压高达 32 V
75 ns 输入输出传播延迟
用于外部 N 沟道 MOSFET 的米勒 CLAMP 驱动器
可调节的软关闭功能
VH UVLO IGBT 和 SiC 变体
去饱和保护 IGBT 和 SiC 变体
栅极驱动电压高达 32 V