STMicroelectronics STM32F205ZE 微控制器, ARM Cortex M3内核, 144引脚, LQFP, 最大120 MHz, 512kB 闪存, 128 kB RAM
- RS Stock No.:
- 233-3045
- Mfr. Part No.:
- STM32F205ZET6TR
- Brand:
- STMicroelectronics
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Units | Per unit | Per Reel* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | RMB90.968 | RMB45,484.00 |
| 1000 - 1000 | RMB89.148 | RMB44,574.00 |
| 1500 + | RMB86.474 | RMB43,237.00 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 233-3045
- Mfr. Part No.:
- STM32F205ZET6TR
- Brand:
- STMicroelectronics
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 系列 | STM32F205ZE | |
| 产品类型 | 微控制器 | |
| 包装类型 | LQFP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 144 | |
| 装置核芯 | ARM Cortex M3 | |
| 数据总线宽度 | 32bit | |
| 程序存储器大小 | 512kB | |
| 最高时钟频率 | 120MHz | |
| 内存大小 | 128kB | |
| 最大电源电压 | 3.6V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 最大功耗 Pd | 500mW | |
| 宽度 | 22.2 mm | |
| DAC | 2 x 12 Bit | |
| 标准/认证 | FBI | |
| 最低电源电压 | 1.8V | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 程序存储器类型 | 闪存 | |
| 指令集结构 | RISC | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
系列 STM32F205ZE | ||
产品类型 微控制器 | ||
包装类型 LQFP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 144 | ||
装置核芯 ARM Cortex M3 | ||
数据总线宽度 32bit | ||
程序存储器大小 512kB | ||
最高时钟频率 120MHz | ||
内存大小 128kB | ||
最大电源电压 3.6V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 125°C | ||
最大功耗 Pd 500mW | ||
宽度 22.2 mm | ||
DAC 2 x 12 Bit | ||
标准/认证 FBI | ||
最低电源电压 1.8V | ||
汽车标准 否 | ||
程序存储器类型 闪存 | ||
指令集结构 RISC | ||
STMicroelectronics STM32F20x 系列基于高性能 ARM® Cortex® -M3 32 位 RISC 内核,工作频率高达 120 MHz。 该系列包含高速嵌入式存储器 (高达 1 MB 的闪存,高达 128 KB 的系统 SRAM) ,高达 4 KB 的备份 SRAM , 以及广泛的增强型输入 / 输出和外围设备,连接到两条 APB 总线,三条 AHB 总线和一个 32 位多 AHB 总线 Matrix。该设备还具有 Adaptive 实时内存加速器 (ART 加速器™) ,允许在 CPU 频率高达 120 MHz 的情况下从闪存中执行相当于 0 等待状态程序的性能。 此性能已通过核心标记® 基准测试进行验证。
闪存高达 1 MB
512 字节 OTP 存储器
高达 128 + 4 KB SRAM
灵活的静态存储器控制器,支持 Compact Flash , SRAM , PSRAM , NOR 和 NAND 存储器
LCD 并行接口, 8080/6800 模式
时钟、重置和电源管理
1.8 至 3.6 V 应用电源 + 输入 / 输出
POR , PDR , PVD 和 BOR
4 至 26 MHz 晶振振荡器
内部 16 MHz 工厂微调 RC
32 kHz 振荡器,用于 RTC ,带校准
内部 32 kHz RC ,带校准
