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英飞凌的这款高性能 MOSFET 专为各种电源管理应用而设计。它采用 TO-220 封装，性能稳定，最大连续漏极电流为 50A，最大漏极-源极电压为 30V。这款 MOSFET 具有低导通电阻和高功率耗散能力，可确保在要求苛刻的电气系统中实现最佳效率。

• 低漏极-源极电阻（7.8 mΩ）可减少功率损耗并提高运行效率

• 68W 的最大功率耗散可确保在高负荷条件下可靠运行

• 栅极阈值电压范围宽（1V 至 2.2V），可针对不同电压水平进行灵活控制

• 热稳定性高，最高工作温度可达 +175°C

• 增强模式设计可实现高效开关和精确电流控制

• 强大的栅极-源极电压容差（-20V 至 +20V）可确保提供过压保护

• 单晶体管配置非常适合空间受限的设计

• 适用于 DC/DC 转换器和电源

• 用于同步整流，提高变流器效率

• 工业自动化系统中电机控制的理想之选

• 用于电动汽车电池管理系统

• 适用于可再生能源系统和消费电子产品

低 RDS（on）最大限度地减少了传导损耗和发热，提高了电源管理系统的整体效率，确保更多能量转化为有用功，而不是以热量形式散失。

该设备的最大功率耗散额定值为 68W，可在运行过程中控制大量热量，即使在苛刻的条件下也能保持稳定。

较宽的栅极阈值电压范围（1V 至 2.2V）为电路设计提供了灵活性，使 MOSFET 能够在各种控制电压下高效工作，适合需要精确电压管理的不同应用。

单位	每单位
10 - 39	RMB144.73
40 +	RMB141.84

Infineon XMC7200 32 bit 微控制器, ARM Cortex-M7内核, 176引脚, TQFP, 最大350 MHz, 1024kB SRAM, 32 kB RAM