IPDIA 贴片MLCC, 100pF, 0202, ±15%容差, 最高+150°C, 0.5 x 0.5 x 0.25mm, UWSC系列
- RS 库存编号:
- 132-9077
- 制造商零件编号:
- 935.154.521.310
- 制造商:
- IPDIA
不可供应
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- 132-9077
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- 制造商:
- IPDIA
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IPDIA | |
| 电容值 | 100pF | |
| 封装/外壳 | 0202 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 容差 | ±15% | |
| 尺寸 | 0.5 x 0.5 x 0.25mm | |
| 长度 | 0.5mm | |
| 深度 | 0.5mm | |
| 高度 | 0.25mm | |
| 系列 | UWSC | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 端子类型 | 表面安装 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IPDIA | ||
电容值 100pF | ||
封装/外壳 0202 | ||
安装类型 贴片 | ||
容差 ±15% | ||
尺寸 0.5 x 0.5 x 0.25mm | ||
长度 0.5mm | ||
深度 0.5mm | ||
高度 0.25mm | ||
系列 UWSC | ||
最高工作温度 +150°C | ||
最低工作温度 -55°C | ||
端子类型 表面安装 | ||
- COO (Country of Origin):
- FR
Ipdia UWSC 系列硅电容器
Ipdia UWSC 系列超大可接线硅电容器，适用于光学通信系统，Rosa、Tosa、SONET 和所有其他光电产品。也可用于高速数据系统或产品。该系列设计用于直流去耦和旁通应用。这些硅电容器提供低插入损耗。这些电容器在频率高于 26 GHz 时可提供高抑制性能。UWSC 电容器采用深槽和 MOS 半导体工艺，可满足高低电容要求。
特点
超大频段性能，高达 26 GHz+
相位稳定性
独特的电容值，达 1 nF，采用 0101 格式
超低 ESR 和 ESL
高可靠性（FIT < 0.017 个部件/十亿小时）
相位稳定性
独特的电容值，达 1 nF，采用 0101 格式
超低 ESR 和 ESL
高可靠性（FIT < 0.017 个部件/十亿小时）
应用
跨阻放大器 (TIA)
光电产品/高速数据
收发型光学子组件 (ROSA/TOSA)
同步光学网络 (SONET)
宽带测试设备
宽带微波/毫米波
光电产品/高速数据
收发型光学子组件 (ROSA/TOSA)
同步光学网络 (SONET)
宽带测试设备
宽带微波/毫米波
注
“UBB 产品线包括 3 个系列：
UBSC/ULSC – 60+GHz 超宽频硅电容器 - 表面安装
UBEC/ULEC – 60+GHz 超宽频嵌入式硅电容器 – 可接线
UWSC - 超大频段电线连接硅电容器 - 可垂直接线”
UBSC/ULSC – 60+GHz 超宽频硅电容器 - 表面安装
UBEC/ULEC – 60+GHz 超宽频嵌入式硅电容器 – 可接线
UWSC - 超大频段电线连接硅电容器 - 可垂直接线”
硅电容器