STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=500 V, 21 A, TO-220FP, 通孔安装, 3引脚, STP12NM50FP, MDmesh系列
- RS 库存编号:
- 151-409
- 制造商零件编号:
- STP12NM50FP
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-409
- 制造商零件编号:
- STP12NM50FP
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 系列 | MDmesh | |
| 包装类型 | TO-220FP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 350mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 15.85mm | |
| 宽度 | 10.4 mm | |
| 高度 | 30.6mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 21A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
系列 MDmesh | ||
包装类型 TO-220FP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 350mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 15.85mm | ||
宽度 10.4 mm | ||
高度 30.6mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh 技术开发，该技术将多漏极工艺与公司的 PowerMESH 水平布局相结合。这些器件具有极低的导通电阻、高 dv/dt 和出色的雪崩特性。这些功率 MOSFET 采用意法半导体专有的带状技术，整体动态性能优于市场上的同类产品。
100% 经过雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低栅极输入电阻