STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=500 V, Id=21 A, 3针, TO-220FP, MDmesh系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 管，共 50 件）*

RMB1,054.55

(不含税)

RMB1,191.65

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 900 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
Per Tube*
50 - 450RMB21.091RMB1,054.55
500 +RMB20.037RMB1,001.85

* 参考价格

RS 库存编号:
151-409
制造商零件编号:
STP12NM50FP
制造商:
STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

21A

最大漏源电压 Vd

500V

包装类型

TO-220FP

系列

MDmesh

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

350mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

28nC

最大栅源电压 Vgs

30V

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

150°C

宽度

10.4mm

长度

15.85mm

标准/认证

RoHS

高度

30.6mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
意法半导体的 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh 技术开发，该技术将多漏极工艺与公司的 PowerMESH 水平布局相结合。这些器件具有极低的导通电阻、高 dv/dt 和出色的雪崩特性。这些功率 MOSFET 采用意法半导体专有的带状技术，整体动态性能优于市场上的同类产品。

100% 经过雪崩测试

低输入电容和栅极电荷

低栅极输入电阻

相关链接