STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 2.2 A, PowerFLAT (3.3 x 3.3) HV, 8引脚, STL3NM60N, MDmesh II系列
- RS 库存编号:
- 151-423
- 制造商零件编号:
- STL3NM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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| 250 - 490 | RMB4.221 | RMB42.21 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-423
- 制造商零件编号:
- STL3NM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | PowerFLAT (3.3 x 3.3) HV | |
| 系列 | MDmesh II | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最大功耗 Pd | 22W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2.2A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 PowerFLAT (3.3 x 3.3) HV | ||
系列 MDmesh II | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 9.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最大功耗 Pd 22W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
意法半导体功率 MOSFET 采用第二代 MDmesh 技术开发而成。这款革命性的功率 MOSFET 将垂直结构与公司的带状布局相结合，从而实现了世界上最低的导通电阻。因此，它适用于要求最苛刻的高效转换器。
100% 经过雪崩测试
低输入电容和栅极电荷