STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 2.5 A, TO-220FP, 3引脚, STF3NK80Z, SuperMESH系列
- RS 库存编号:
- 151-431
- 制造商零件编号:
- STF3NK80Z
- 制造商:
- STMicroelectronics
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-431
- 制造商零件编号:
- STF3NK80Z
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | TO-220FP | |
| 系列 | SuperMESH | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19nC | |
| 最大功耗 Pd | 25W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 2.5A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 TO-220FP | ||
系列 SuperMESH | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC | ||
最大功耗 Pd 25W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的功率 MOSFET 采用超级 MESH 技术开发，通过优化成熟的功率 MESH 布局实现。除了大大降低导通电阻外，该设备的设计还确保了高水平的 dv/dt 能力，可满足最苛刻的应用要求。
100% 经过雪崩测试
栅极电荷最小化
本征电容极低
齐纳保护