STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=4 A, 3针, TO-252, SuperMESH系列

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包装方式：
RS 库存编号:
151-440
制造商零件编号:
STD4NK60ZT4
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

SuperMESH

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

30V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.6V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18.8nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

宽度

6.73mm

高度

2.39mm

长度

10.34mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
意法半导体的功率 MOSFET 采用超级 MESH 技术开发，通过优化成熟的功率 MESH 布局实现。除了大大降低导通电阻外，该设备的设计还确保了高水平的 dv/dt 能力，可满足最苛刻的应用要求。

100% 经过雪崩测试

栅极电荷最小化

本征电容极低

齐纳保护

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