STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=400 V, 1.8 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, STN3N40K3, SuperMESH3系列

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RS 库存编号:
151-445
制造商零件编号:
STN3N40K3
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

1.8A

最大漏源电压 Vd

400V

包装类型

SOT-223

系列

SuperMESH3

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

3.4Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±30 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

11nC

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

150°C

宽度

3.7 mm

高度

1.8mm

标准/认证

RoHS

长度

6.7mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
意法半导体功率 MOSFET 是超级 MESH 技术改进的成果,结合了全新优化的垂直结构。该器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和极高的雪崩能力,适合要求最苛刻的应用。

极高的 dv/dt 能力

栅极电荷最小化

本征电容极低

改进的二极管反向恢复特性

齐纳保护型