STMicroelectronics 双N沟道 增强型 MOSFET, Vds=450 V, 0.4 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, STS1DNC45, SuperMESH系列
- RS 库存编号:
- 151-447
- 制造商零件编号:
- STS1DNC45
- 制造商:
- STMicroelectronics
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-447
- 制造商零件编号:
- STS1DNC45
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | 双N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 0.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 450V | |
| 系列 | SuperMESH | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10nC | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 双N | ||
最大连续漏极电流 Id 0.4A | ||
最大漏源电压 Vd 450V | ||
系列 SuperMESH | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最低工作温度 -65°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的功率 MOSFET 采用超级 MESH 技术开发，通过优化成熟的功率 MESH 布局实现。除了大大降低导通电阻外，该设备的设计还确保了高水平的 dv/dt 能力，可满足最苛刻的应用要求。
标准外形，便于自动表面贴装
最大限度减少栅极电荷