制造商编号

STMicroelectronics 双N沟道增强型MOSFET, Vds=450 V, Id=0.4 A, 8针, SO-8, SuperMESH系列

RS 库存编号:: 151-447
制造商零件编号:: STS1DNC45
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics 双N沟道增强型MOSFET, Vds=450 V, Id=0.4 A, 8针, SO-8, SuperMESH系列

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100 - 240	RMB11.328	RMB113.28
250 - 490	RMB10.507	RMB105.07
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1000 +	RMB9.304	RMB93.04

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RS 库存编号:: 151-447
制造商零件编号:: STS1DNC45
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	槽架类型	双N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	0.4A
	最大漏源电压 Vd	450V
	包装类型	SO-8
	系列	SuperMESH
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	4.5Ω
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最低工作温度	-65°C
	正向电压 Vf	1.6V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	10nC
	最大功耗 Pd	2W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	槽架类型双N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 0.4A
	最大漏源电压 Vd 450V
	包装类型 SO-8
	系列 SuperMESH
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 4.5Ω
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最低工作温度 -65°C
	正向电压 Vf 1.6V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC
	最大功耗 Pd 2W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - STS1DNC45

COO (Country of Origin):: CN

意法半导体的功率 MOSFET 采用超级 MESH 技术开发，通过优化成熟的功率 MESH 布局实现。除了大大降低导通电阻外，该设备的设计还确保了高水平的 dv/dt 能力，可满足最苛刻的应用要求。

标准外形，便于自动表面贴装

最大限度减少栅极电荷

STMicroelectronics 双N沟道增强型MOSFET, Vds=450 V, Id=0.4 A, 8针, SO-8, SuperMESH系列

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