STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 20 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, STW20NM60, MDmesh系列
- RS 库存编号:
- 151-453
- 制造商零件编号:
- STW20NM60
- 制造商:
- STMicroelectronics
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-453
- 制造商零件编号:
- STW20NM60
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | MDmesh | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.29Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 39nC | |
| 最低工作温度 | 50°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 5.15mm | |
| 长度 | 34.95mm | |
| 宽度 | 15.75 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 MDmesh | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.29Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 39nC | ||
最低工作温度 50°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 5.15mm | ||
长度 34.95mm | ||
宽度 15.75 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的功率 MOSFET 将多漏极工艺与公司的 Power MESH 水平布局相结合。由此产生的产品具有出色的低导通电阻、令人印象深刻的高 dv/dt 和卓越的雪崩特性。由于采用了公司专有的带材技术，其整体动态性能明显优于同类竞争产品。
100% 经过雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低栅极输入电阻