STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 54 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, STWA65N045M9, MDmesh M9系列
- RS 库存编号:
- 151-781
- 制造商零件编号:
- STWA65N045M9
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 管，共 30 件）*
¥2,131.98
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 + | RMB71.066 | RMB2,131.98 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-781
- 制造商零件编号:
- STWA65N045M9
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 54A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | MDmesh M9 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 45mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 最大功耗 Pd | 312W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 15.90 mm | |
| 长度 | 20.10mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 54A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 MDmesh M9 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 45mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
最大功耗 Pd 312W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 15.90 mm | ||
长度 20.10mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体 N 沟道功率 MOSFET 基于最具创新性的超级结 MDmesh M9 技术，适用于中/高压 MOSFET，单位面积 RDS(on) 非常低。基于硅的 M9 技术受益于多排水制造过程,可实现增强的设备结构。在所有硅基快速开关超级结功率 MOSFET 中，该产品是导通电阻较低和栅极电荷值较低的产品之一，因此特别适用于需要超高功率密度和出色效率的应用场合
更高的 VDSS 额定值
更高的 dv/dt 能力
优异的开关性能
易于驱动