STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 1 A, TO-252, 3引脚, STD1NK80ZT4, SuperMESH系列
- RS 库存编号:
- 151-904
- 制造商零件编号:
- STD1NK80ZT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-904
- 制造商零件编号:
- STD1NK80ZT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | SuperMESH | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 16Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 45W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 SuperMESH | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 16Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 45W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.7nC | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的功率 MOSFET 是一种具有齐纳保护 N 沟道的高压器件，采用 SuperMESH 技术开发，是对成熟的 PowerMESH 技术的优化。除了大幅降低导通电阻外，该器件的设计还能确保为要求最苛刻的应用提供高水平的 dv/dt 能力。
栅极电荷最小化
本征电容极低
齐纳保护