STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 12 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, STD12NF06LT4, STripFET II系列
- RS 库存编号:
- 151-907
- 制造商零件编号:
- STD12NF06LT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB5.421 | RMB54.21 |
| 100 - 240 | RMB5.145 | RMB51.45 |
| 250 - 490 | RMB4.772 | RMB47.72 |
| 500 - 990 | RMB4.388 | RMB43.88 |
| 1000 + | RMB4.23 | RMB42.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-907
- 制造商零件编号:
- STD12NF06LT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | STripFET II | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 90mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±16 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 宽度 | 6.6 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 STripFET II | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 90mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最大栅源电压 Vgs ±16 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.1mm | ||
宽度 6.6 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 2.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的功率 MOSFET 专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此，该器件适合用作电信和计算机应用中先进的高效隔离式 DC-DC 转换器的主开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
卓越的 dv/dt 能力
100% 经过雪崩测试
低栅极电荷