STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=60V, 12A, DPAK, 贴片安装, 3引脚, STripFET II系列
- RS 库存编号:
- 151-907P
- 制造商零件编号:
- STD12NF06LT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-907P
- 制造商零件编号:
- STD12NF06LT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 12A | |
| 最大漏源电压 | 60V | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 系列 | STripFET II | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 12A | ||
最大漏源电压 60V | ||
封装类型 DPAK | ||
系列 STripFET II | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的功率 MOSFET 专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此，该器件适合用作电信和计算机应用中先进的高效隔离式 DC-DC 转换器的主开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
卓越的 dv/dt 能力
100% 经过雪崩测试
低栅极电荷
100% 经过雪崩测试
低栅极电荷