STMicroelectronics P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 35 A, TO-252, 3引脚, STD35P6LLF6, STripFET F6系列
- RS 库存编号:
- 151-912P
- 制造商零件编号:
- STD35P6LLF6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB13.28 |
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| 500 - 995 | RMB11.294 |
| 1000 + | RMB10.906 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-912P
- 制造商零件编号:
- STD35P6LLF6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 35A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | STripFET F6 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.028Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 30nC | |
| 最大功耗 Pd | 70W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 35A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 STripFET F6 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.028Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30nC | ||
最大功耗 Pd 70W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics P 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F6 技术开发，具有新型沟槽栅极结构。由此产生的功率 MOSFET 在所有封装中都表现出极低的 RDS（on）。
极低导通电阻
极低栅极电荷
高雪崩坚固性
低栅极驱动功率损耗