STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 21 A, H2PAK-2, 表面安装, 3引脚, STH13N120K5-2AG, MDmesh K5系列
- RS 库存编号:
- 151-914
- 制造商零件编号:
- STH13N120K5-2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB70.72 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-914
- 制造商零件编号:
- STH13N120K5-2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | H2PAK-2 | |
| 系列 | MDmesh K5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.69Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 44.2nC | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 高度 | 4.7mm | |
| 宽度 | 10.4 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 21A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 H2PAK-2 | ||
系列 MDmesh K5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.69Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 44.2nC | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 15.8mm | ||
高度 4.7mm | ||
宽度 10.4 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体功率 MOSFET 采用基于创新型专有垂直结构的 MDmesh K5 技术设计。因此，导通电阻大大降低，栅极电荷超低，适用于要求高功率密度和高效率的应用。
通过 AEC Q101 认证
业界最低 RDS(on) x 面积
业界最佳 FoM
超低栅极电荷
100% 通过雪崩测试
齐纳保护型