STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=950 V, 9 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, STD6N95K5, MDmesh K5系列
- RS 库存编号:
- 151-926
- 制造商零件编号:
- STD6N95K5
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB19.70 | RMB98.50 |
| 50 - 95 | RMB18.712 | RMB93.56 |
| 100 - 495 | RMB17.34 | RMB86.70 |
| 500 - 995 | RMB15.95 | RMB79.75 |
| 1000 + | RMB15.364 | RMB76.82 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-926
- 制造商零件编号:
- STD6N95K5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 950V | |
| 系列 | MDmesh K5 | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.25Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 9.6nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 6.6 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 9A | ||
最大漏源电压 Vd 950V | ||
系列 MDmesh K5 | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.25Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 9.6nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 6.6 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 2.4mm | ||
长度 10.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体功率 MOSFET 采用基于创新型专有垂直结构的 MDmesh K5 技术设计。因此，导通电阻大大降低，栅极电荷超低，适用于要求高功率密度和高效率的应用。
业界最低的 RDS(on) x 面积
业界最佳的 FoM
超低栅极电荷
100% 经过雪崩测试
齐纳保护