STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=950 V, 9 A, DPAK, 贴片安装, 3引脚, MDmesh K5系列
- RS 库存编号:
- 151-926P
- 制造商零件编号:
- STD6N95K5
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB18.712 |
| 100 - 495 | RMB17.34 |
| 500 - 995 | RMB15.95 |
| 1000 + | RMB15.364 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-926P
- 制造商零件编号:
- STD6N95K5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 9 A | |
| 最大漏源电压 | 950 V | |
| 系列 | MDmesh K5 | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 9 A | ||
最大漏源电压 950 V | ||
系列 MDmesh K5 | ||
封装类型 DPAK | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体功率 MOSFET 采用基于创新型专有垂直结构的 MDmesh K5 技术设计。因此，导通电阻大大降低，栅极电荷超低，适用于要求高功率密度和高效率的应用。
业界最低的 RDS(on) x 面积
业界最佳的 FoM
超低栅极电荷
100% 经过雪崩测试
齐纳保护
业界最佳的 FoM
超低栅极电荷
100% 经过雪崩测试
齐纳保护