STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 300 mA, SOT-223, 表面安装, 4引脚, STN1NK60Z, SuperMESH系列
- RS 库存编号:
- 151-928
- 制造商零件编号:
- STN1NK60Z
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | RMB2.607 | RMB52.14 |
| 200 - 480 | RMB2.476 | RMB49.52 |
| 500 - 980 | RMB2.297 | RMB45.94 |
| 1000 - 1980 | RMB2.111 | RMB42.22 |
| 2000 + | RMB2.034 | RMB40.68 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-928
- 制造商零件编号:
- STN1NK60Z
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 300mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | SuperMESH | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 15Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.9nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 高度 | 1.8mm | |
| 宽度 | 3.7 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-37-475 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 300mA | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 SuperMESH | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 15Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.9nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 6.7mm | ||
高度 1.8mm | ||
宽度 3.7 mm | ||
Distrelec Product Id 304-37-475 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的功率 MOSFET 采用超级 MESH 技术开发，是通过优化成熟的带状功率 MESH 布局实现的。除了大大降低导通电阻外，该设备的设计还确保了高水平的 dv/dt 能力，可满足最苛刻的应用要求。
100% 经过雪崩测试
栅极电荷最小化
SD 性能提高
齐纳保护