STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 300 mA, SOT-223, 表面安装, 4引脚, STN1NK60Z, SuperMESH系列

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151-928P
制造商零件编号:
STN1NK60Z
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

300mA

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

SOT-223

系列

SuperMESH

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

15Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.6V

最大栅源电压 Vgs

±30 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4.9nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

6.7mm

标准/认证

RoHS

高度

1.8mm

宽度

3.7 mm

Distrelec Product Id

304-37-475

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
意法半导体的功率 MOSFET 采用超级 MESH 技术开发,是通过优化成熟的带状功率 MESH 布局实现的。除了大大降低导通电阻外,该设备的设计还确保了高水平的 dv/dt 能力,可满足最苛刻的应用要求。

100% 经过雪崩测试

栅极电荷最小化

SD 性能提高

齐纳保护