STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=400 V, Id=3 A, 3针, TO-252, SuperMESH系列
- RS 库存编号:
- 151-930P
- 制造商零件编号:
- STD5NK40ZT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 200 - 480 | RMB8.869 |
| 500 - 980 | RMB8.216 |
| 1000 - 1980 | RMB7.562 |
| 2000 + | RMB7.289 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-930P
- 制造商零件编号:
- STD5NK40ZT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 400V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | SuperMESH | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.8Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 宽度 | 6.6mm | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 3A | ||
最大漏源电压 Vd 400V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 SuperMESH | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.8Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.7nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 2.4mm | ||
宽度 6.6mm | ||
长度 10.1mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的功率 MOSFET 采用超级 MESH 技术开发，是通过优化成熟的带状功率 MESH 布局实现的。除了大大降低导通电阻外，该设备的设计还确保了高水平的 dv/dt 能力，可满足最苛刻的应用要求。
100% 经过雪崩测试
栅极电荷最小化
本征电容极低
齐纳保护