STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=400 V, 3 A, DPAK, 贴片安装, 3引脚, SuperMESH系列
- RS 库存编号:
- 151-930P
- 制造商零件编号:
- STD5NK40ZT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 200 - 480 | RMB2.873 |
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| 1000 - 1980 | RMB2.45 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-930P
- 制造商零件编号:
- STD5NK40ZT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3 A | |
| 最大漏源电压 | 400 V | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 系列 | SuperMESH | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3 A | ||
最大漏源电压 400 V | ||
封装类型 DPAK | ||
系列 SuperMESH | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 硅 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的功率 MOSFET 采用超级 MESH 技术开发，是通过优化成熟的带状功率 MESH 布局实现的。除了大大降低导通电阻外，该设备的设计还确保了高水平的 dv/dt 能力，可满足最苛刻的应用要求。
100% 经过雪崩测试
栅极电荷最小化
本征电容极低
齐纳保护
栅极电荷最小化
本征电容极低
齐纳保护