STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 12 A, TO-252, 3引脚, STD12NF06T4, STripFET II系列
- RS 库存编号:
- 151-938
- 制造商零件编号:
- STD12NF06T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-938
- 制造商零件编号:
- STD12NF06T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | STripFET II | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.1Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12nC | |
| 最大功耗 Pd | 30W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 STripFET II | ||
包装类型 TO-252 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.1Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC | ||
最大功耗 Pd 30W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 功率 MOSFET 系列采用 STripFET 工艺开发，该工艺专为最大限度地减少输入电容和栅极电荷而设计。因此，该器件适合用作电信和计算机应用中先进的高效隔离式直流到直流转换器的主开关。
卓越的 dv/dt 能力
100% 经过雪崩测试
低栅极电荷