STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 6 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP6NK60Z, SuperMESH系列
- RS 库存编号:
- 151-941
- 制造商零件编号:
- STP6NK60Z
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | RMB7.539 | RMB376.95 |
| 500 - 950 | RMB7.161 | RMB358.05 |
| 1000 + | RMB6.634 | RMB331.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-941
- 制造商零件编号:
- STP6NK60Z
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | SuperMESH | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.2Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 33nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 28.9mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 10.4 mm | |
| 高度 | 28.9mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 SuperMESH | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.2Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 33nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 28.9mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 10.4 mm | ||
高度 28.9mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 功率 MOSFET 是通过对成熟的带状功率 MESH 布局进行极致优化而获得的。除了大幅降低电阻外，还特别注意确保为最苛刻的应用提供非常好的 dv/dt 能力。
极高的 dv/dt 能力
100% 经过雪崩测试
栅极电荷最小化